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AOT286L  与  IPP072N10N3 G  区别

型号 AOT286L IPP072N10N3 G
唯样编号 A-AOT286L A-IPP072N10N3 G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@20A,10V 6.2mΩ
上升时间 - 37ns
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 167W 150W
Qg-栅极电荷 - 68nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 50S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 70A 80A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 10mm
下降时间 - 9ns
典型接通延迟时间 - 19ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOT286L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 80V ±20V 70A 167W 6mΩ@20A,10V -55°C~175°C

暂无价格 0 当前型号
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 12,000 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

¥3.85 

阶梯数 价格
20: ¥3.85
100: ¥3.08
366 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 0 对比
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP072N10N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPP072N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP072N10N3GXKSA1_100V 80A 6.2mΩ 20V 150W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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